مشخصات ترانزیستور BS170  

BS170 یک **MOSFET کانال N نوع (N-Channel)** از نوع Enhancement Mode است که برای سوییچینگ و تقویت جریان در مدارهای الکترونیکی طراحی شده است.  
این ترانزیستور ولتاژ کنترل (Vgs) دارد و برای کاربردهای دیجیتال و قدرت پایین مناسب است.

پکیج: TO-92  
نوع نصب روی برد: Through Hole  
Function: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Logic Type: Power Switching / Amplification  
ولتاژ کلکتور–سورس (Drain-Source Voltage, VDS): 60 ولت  
ولتاژ گیت–سورس (Gate-Source Voltage, VGS): ±20 ولت  
جریان درین پیوسته (Continuous Drain Current, ID): 0.5 آمپر  
جریان پیک درین (Pulsed Drain Current, IDM): 1.6 آمپر  
مقاومت درون کانال (RDS(on)): حدود 5 Ω (VGS=10V)  
توان مصرفی (Power Dissipation): 0.83 W  
ظرفیت Gate (Input Capacitance): حدود 20 pF  
دمای کاری: -55°C تا +150°C  
ویژگی‌های عملکردی:  
  - سوئیچینگ سریع با Gate ولتاژ منطقی TTL  
  - مقاومت کانال کم در حالت روشن  
  - سادگی استفاده در مدارهای دیجیتال و آنالوگ  
کاربردها:  
  - سوییچینگ بارهای DC کوچک  
  - کنترل رله و LED  
  - تقویت‌کننده‌های جریان کوچک  
  - مدارات منطقی و میکروکنترلری